产生具有横向生长的n-InP/p-Si异质结

    瑞典KTH-Royal理工学院使用波形外延横向生长(CELOG)来创建由n型磷化铟(n-InP)和p型硅(p-Si)组成的异质结，通常情况下，由于8%的晶格失配，这样的结位错密度很高，CELOG技术允许KTH创建异质结光电二极管(HJPDs)。
    KTH使用(001)p-Si基板在<111>方向切割4°，处理开始有机汽相外延(MOVPE) 50 nm砷化镓(砷化镓)缓冲区和2μm InP籽晶层，然后30μm-diameter p-Si衬底被蚀刻到圆形开口三角晶格中33μm中心到中心的距离(图)，采用湿法蚀刻法去除这些开口中的残余砷化镓

    CELOG工程种子InP/Si衬底俯视图SEM图像，Si表面为InP籽晶层圆形开口，虚线表示种子在台面上开始生长的方向，插图:InP和Si分布的SEM/EDS图谱，(b)示意图截面n-InP/p-Si HJPD，比例不对。
    研究人员认为，更薄的CELOG InP发射层可以实现更高的电流和效率。

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