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硒化物靶材
分子式: Cu2Se，Bi2Se3，In2Se3，Ga2Se3
CAS号: 7446-08-4
EINECS号: 231-957-4
纯度: 99.99％min
尺寸: 50mm-300mm
熔点: 217°C
沸点: 684.9°C
交货时间: 7-10天
供应能力: 200KG /月
EMAILL:santech@santechchem.com
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硒化物靶材介绍硒化物包括硒化铟，硒化镉，硒化锌，硒化铋，硒化锗，硒化钼等。硒元素沸点只有684.9摄氏度，在生产硒化合物和靶材中，因其他金属元素熔点多高于硒的沸点，以及靶材工艺中的高温热压等工艺下，硒元素极易挥发，为了精确控制硒化合物中的硒含量和化合物性能，是所有生产硒化合物材料企业必须解决的技术难题。盛特新材专业生产高质量的硒化物材料和靶材，主要应用于磁控溅射，半导体掺杂，化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）显示器和光学应用。硒化物靶材主要包括硒化铋Bi2Se3，硒碲化铋BiSeTe，硒化镉CdSe，硒碲化镉CdTeSe，硒化铜镓CuGaSe2，硒化铜CuSe，二硒化铜CuSe2，铜铟镓硒CuIn0.7Ga0.3Se2，硒化铜铟CuInSe2，硒化铜锌锡CuZnSnSe，硒砷化镓GaAsSe， 三硒化二镓Ga2Se3，一 硒化锗GeSe，二硒化锗GeSe2，三硒化二锗Ge2Se3，锗碲硒GeTeSe，一硒化铟InSe，三硒化二铟In2Se3，二硒化钼MoSe2，三硒化二锑Sb2Se3，硒化锌ZnSe等。 硒化物靶材应用硒化物靶材如硒化物包括硒化铟，硒化镉，硒化锌，硒化铋，硒化锗，硒化钼等，主要用于光电材料的磁控溅射，蒸发镀膜，半导体材料掺杂等。 硒化物靶材优势● 纯度高，可达99.999％，比例精准，靶材致密度高； |
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