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碲化铋
2015-01-13

产品介绍

    碲化铋的晶格常数为1.0473nm,由共价键结合,有一定离子键成分,为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K,为良好的温差材料。

产品性质

 

 

N型

碲化铋掺硒(doped Selenium)

P型

碲化铋掺锑(doped Antimony)

粒度 -60目,-100目,-200目,325目

CAS No. 

1304-82-1

Mol. Wt.

800.761

密度

7.642 g·cm−3

熔点

586°C

导电性

1050/950

热导率

1.35/1.3

赛贝克系数

220/280

测试温度

300K

质量标准
产品用途

    碲化铋主要用于形成P/N节用于半导体制冷,温差发电等。

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